MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
11
23
0
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
21
19
10 100 200
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
Figure 9. Broadband Frequency Response
0
24
1550
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1250 mA
16
12
8
1650
S21 (dB)
20
S21
17
VDD=28Vdc,IDQ
= 1250 mA, f = 1960 MHz
15
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01%
13
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
TC
=--40°C
25°C
85°C
-- 4 0°C
25°C
85°C
85°C
-- 4 0°C
25°C
1750 1850 1950 2050 2150 2250 2350
S11
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 10. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
=28Vdc,Pout
= 40 W Avg., and
ηD
= 30%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
108
107
106
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
-- 3 0
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Probability (CCDF)
S11 (dB)
4
-- 2 5
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